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產品描述

HAD0230 是一款集成解決方案,將 N-通道功率 MOSFET、低壓振蕩器、電荷泵和低功耗電壓感知單元集成在 TO-263 封裝中。它與傳統的D2PAK封裝肖特基二極管兼容,和傳統二極管相比,它提供了低正向電壓、低功耗、極小的漏電流和高反向電壓等優點。


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優勢介紹

  • 最大反向電壓(VR)為100V

  • 正向電壓(VF)在20A正向電流(IF)下為92mV

  • 在IF=20A和125°C環境溫度(TA)下連續工作時,功耗低于2W

  • 在VR=100V時的低反向泄漏電流為0.2μA

  • 當源極到漏極電壓(VSD)為-20mV時的低反向閂鎖響應時間為3.5μs

  • ESD等級為30kV(HBM)

  • 工作環境溫度范圍(TA)為-40℃至125℃

  • 零靜態功耗(IQ到GND)

28V LDMOS MMIC

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